Massaproductie phase-change RAM in juni

22 reacties

Samsung presenteerde 2,5 jaar geleden al een 512 Mbit prototype van een zogenaamde phase-change geheugenchip, afgekort PRAM. Dit geheugen, dat door Samsung ook wel bestempeld is als 'Perfect' RAM vanwege de voordelen ten opzichte van het huidige NAND- en NOR-flashgeheugen, maakt gebruik van warmte om het chemische mengsel chalcogenide vanuit amorfe toestand te laten kristalliseren. Bits in een amorfe fase representeren vervolgens een logische '0', terwijl gekristalliseerde bits '1' coderen. Volgens de laatste berichten zal Samsung vanaf juni PRAM chips in grote getale gaan produceren.

Het voornaamste voordeel van PRAM is de snelheid. Omdat phase-change geheugen voor het veranderen (schrijven) van een databit niet eerst de bestaande bit hoeft te verwijderen, ligt de snelheid ongeveer dertig maal hoger dan bij conventioneel flashgeheugen. Daarnaast 'slijt' PRAM ook een stuk minder snel dan flashgeheugen, waardoor het een tienmaal zo lange levensduur geniet. Bovendien is PRAM net als flashgeheugen niet-vluchtig, waardoor het data kan vasthouden zonder elektrische spanning, en combineert het in feite dus de snelheid van DRAM en de dataretentie van flashgeheugen. Verder is PRAM een stuk beter schaalbaar dan elke andere momenteel bekende geheugenarchitectuur, is de omvang van de chip bij gelijke capaciteit kleiner dan bij flashgeheugen en komen er minder productiestappen bij kijken in vergelijk met bijvoorbeeld NOR-flashgeheugen.

Met name compacte en mobiele apparatuur zal goed kunnen profiteren van de voordelen die PRAM met zich meebrengt. Samsung heeft vooralsnog echter niets bekend gemaakt over potentiële klanten of producten waarheen de PRAM modules hun weg zullen moeten gaan vinden.

Bronnen: CDRinfo, Engadget, Electronista

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*