Intel bouwt kleinste SRAM-cel met 0,09 micron technologie (transitie naar 90nm in 2003)

8 reacties

Intel heeft gisteren ‘s werelds kleinste SRAM-geheugen getoond. Een SRAM-cell in deze chip is slechts 1 vierkante micron groot.

Deze stap is belangrijk in de transitie die Intel in 2003 wil maken naar 90 nanometer (0,09 micron)-technologie. De grote processorfabrikant maakt op dit moment voor haar Pentium 4 Northwood en Pentium III/Celeron Tualatin-processors gebruik van een .13-micron procédé. Intel is van plan om het nieuwe kleinere 90 nanometer proces volledig via 300 mm wafers te gebruiker. Deze platen waarop de chips gebouwd worden zijn groter en geven de fabrikant de mogelijkheid om meer chips in één keer te produceren.

De SRAM-chip die Intel heeft getoond is 52 Mbit groot en bevat 330 miljoen transistors, en al die transistors nemen slechts 109 vierkantie millimeter in beslag.


De 0,09 micron SRAM-cell is kleiner dan een Amerikaanse Dime

Bron: Intel

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*