HP: volgend jaar al RRAM met memristors

3 reacties

Begin mei werd op Hardware.Info bericht over de ontdekking van de zogeheten memristor. Zo'n memory resistor gedraagt zich als een gewone resistor met als verschil dat de weerstand afhankelijk is van de lading die door de memristor is gegaan. In het betreffende bericht werd al gemeld dat deze vinding zou kunnen leiden tot een nieuw type geheugen dat energiezuiniger en sneller is dan de huidige types.

thumb

Recent heeft HP Labs laten weten dat het verwacht in 2009 een eerste prototype van dit RRAM (resistive random acces memory) gereed te hebben. Het vervolgonderzoek naar de in april aangekondigde titaniumdioxide memristor heeft al resultaten opgeleverd: HP zegt de werking op nanoschaal beter te kunnen verklaren.

Volgens de onderzoekers verandert de weerstand van de memristor door het ontbreken van zuurstofatomen (O-gaten) op het grensoppervlak tussen het titaniumdioxide en de elektrode. Dit in tegenstelling tot het eerdere vermoeden dat de weerstand van het geheel van titaniumdioxide zou veranderen door toename of afname van O-gaten.

In het onderzoek hiernaar is ervaring opgedaan met het maken van memristor-chips die uiteindelijk moet leiden tot het gezochte RRAM. HP Labs zegt echter op de lange termijn ook synapssystemen te willen ontwikkelen die zelflerend zijn.

Bron: EETimes

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*