Dit zijn fabrikanten van plan met NAND-flashgeheugen voor SSD's in 2021

0 reacties
Inhoudsopgave
  1. 1. Inleiding
  2. 2. TLC en QLC met hogere dichtheden
  3. 3. Snellere producten
  4. 4. Gestapeld NAND verder stapelen, nu nóg hoger
  5. 0 reacties

TLC en QLC met hogere dichtheden

De die-capaciteit blijft voor dit jaar gelijk. Bij Samsung en SK Hynix blijft deze liggen op 512 gigabit en Kioxia's en Western Digitals opvolger van het bics 5-geheugen van vorig jaar blijft bij 1 terabit. Wel is het aantal lagen toegenomen van 112 stuks naar 'meer dan 170'. In een persbericht schrijft Kioxia dat het voor bics 6 gaat om 162 lagen, en dat de geheugendichtheid met 40% is toegenomen ten opzichte van de bics 5-generatie met 112 lagen. Het aantal bits per wafer neemt met 70% toe.

SK Hynix gaat van 128 lagen naar 176, maar hoeveel lagen het precies zal zijn is nog niet duidelijk. Wat Micron precies van plan is weten we nog niet, hoewel we weten dat het dit jaar geheugen met 176 lagen gaat verkopen.

De capaciteit per die stijgt dus niet, maar het is mogelijk dat de chipformaten minder groot zullen zijn. De geheugendichtheid neemt namelijk wel toe, terwijl niet elke fabrikant een toename in capaciteit meldt. Er worden doorgaans meerdere die's in één package verwerkt, waardoor de uiteindelijke capaciteit per chip alsnog toe zou kunnen nemen.

Verder lijkt Samsung de prestatiekroon te behouden wat tlc-geheugen betreft. Kioxia (voorheen Toshiba Memory) biedt de hoogste chipcapaciteit, maar SK Hynix zegt een hogere dichtheid (10,8 Gbit/mm2 versus 10,4 Gbit/mm2) te bereiken.

Intel is de enige die zich heeft uitgelaten over nieuw qlc-geheugen met vier bits per cel. Het blijkt echter te gaan om 144-laags geheugen, dat al in september van 2019 is aangekondigd en inmiddels ook recenter is behandeld. We weten nu echter dat Intel hoog inzet op quad-level cell, zo heeft het een die-grootte die bijna half zo groot is als die van de 2020-chips van de concurrentie. Wel loopt Intel vermoedelijk achterop wat het aantal lagen betreft, met 144-laags geheugen. Vermoedelijk zullen de overige bedrijven dit jaar nog hun eigen nieuwe technieken introduceren, maar wat dit precies zal inhouden is nog niet bekend.

Een belangrijke verbetering van de afgelopen jaren was het plaatsen van de componenten voor de stroomvoorziening onder de geheugencellen, in plaats van ernaast. Dat maakt het verhogen van de geheugendichtheid gemakkelijker, en het maakt ook betere prestaties mogelijk. Samsung, Intel, Micron en SK Hynix waren al overgestapt (in die volgorde), Kioxia en WD hebben nu ook de overstap gemaakt. Hierdoor is de programmeertijd voor bits 2,4 keer korter.

0
*